长鑫已重新设计DRAM芯片,尽量避免使用美国原产技术

来源:日经新闻 作者: 时间:2019-06-14 16:36

长鑫 dram 芯片

  6月12日,日经新闻引述未具名消息人士报导,合肥长鑫已经重新设计了其DRAM芯片,以尽量减少对美国原产技术的使用。

  据日经新闻亚洲评论报导,该消息人士表示,长鑫还无法完全消除威胁,其生产中依然会使用到美国的半导体设备(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys),但重新设计能够降低威胁,避免触及美国的知识产权。

  长鑫存储董事长兼CEO朱一明去年10月还曾前往欧洲,与欧洲最大的半导体设备供应商ASML商谈合作,并访问了比利时的IMEC,这是一家专注于纳米电子和数字技术的开创性研究机构。由此可见,长鑫正在寻求美国以外的供应商的支持。

  据了解,长鑫在合肥投资80亿美元建造了一家晶圆厂,预计将于今年年底前投产。其中一位消息人士指出,长鑫最初每月将生产约10,000片晶圆,虽然需要经历某种学习曲线,但长鑫计划在今年年底之前获得一些产出。

  不过,根据长鑫去年透露DRAM项目5年规划,该公司计划在2018年底量产8Gb DDR4工程样品;2019年3季度量产8Gb LPDDR4;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。

  市调机构CINNO分析师Sean Yang指出,跟全球130万片DRAM 硅晶圆的月产量相比,长鑫的产能仍然较小,但对于目前完全无法自制DRAM的中国大陆来说,却是一大突破。

  根据集微网此前的报道,朱一明在上海举办的GSA MEMORY+峰会发表演讲时指出,长鑫的技术源自奇梦达,并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作,将一千多万份有关DRAM的技术文件(约2.8TB数据)收归囊中,目前共有1万6千个专利申请。

  奇梦达是从英飞凌拆分出来的知名DRAM大厂,但在2009年1月,奇梦达向法院申请破产保护。奇梦达慕尼黑研发中心和中国研发中心(位于西安高新区)是较大的两大研发中心。



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